台积电微制像技术发展处资深处长林本坚日前表示，台积电将从65纳米工艺导入浸入式光刻技术（Immersion Lithography），经过过去1年经验累积后，台积电的浸入式光刻技术未来应可发挥到22纳米工艺世代，他表示，浸入式光刻技术可延长CMOS工艺 达到19纳米工艺世代，不过林本坚表示，19纳米工艺时代至少也要等到2010年后。

浸入式光刻是指在曝光镜头和硅片之间以水取代空气作为光的传输介质。以此提高镜头的数值孔径NA，从而提高光刻分辨率。早先业界在进入65纳米工艺节点时曾有“光与水”之争，即采用更短波长（157nm）的光，还是在镜头与硅片之间充水。英特尔最先采取后者获得了成功并影响了整个半导体光刻技术的发展路线。

林本坚说，按目前传统的光刻技术发展，CMOS半导体工艺到了65纳米工艺世代就会面临极限，不过，目前以水为介质的浸入式光刻技术，经历过去1年的经验累积后，他有信心台积电的浸入式光刻技术，可以发挥至22纳米工艺世代。

林本坚日前在IEDM（International Electron Devices Meeting）国际研讨会上，发表有关浸入式光刻技术的学术论文时透露，台积电目前正在寻找折射率比水更高的介质，应可以把CMOS工艺的极限往下拉到 19纳米工艺时代，但19纳米工艺世代是否真将来能成为主流还要看市场需求以及晶圆能否顺利量产而定，不过他估计19纳米工艺时代，至少也要等到2010年以后。