FSI国际在SEMICON China 2006期间向全球发布了全新的ViPR™技术。这项创新技术省去了绝大多数已注入光刻胶去除所需的灰化工艺步骤,包括1x1017  离子/ 厘米2  等离子掺杂(PLAD)光刻胶。这项ViPR技术适用于FSI全新的ZETA® G3喷雾清洗平台。

通过省去了大约80%的前段（FEOL）灰化步骤,FSI为集成电路制造商提供了一套减少表面损害、材料损失、制造周期时间和资金投入的全面解决方案。随着已注入光刻胶的应用不断上升,而与此同时可允许的材料损失和表面损坏水平程度不断下降,IC制造过程中的光刻胶去除已经成为整个产业界的挑战。FSI认为ViPR技术在65和45nm制造工艺中会成为必需的技术,而且在目前的90nm制造工艺中会有所采纳应用。

ViPR工艺利用了FSI特有的化学试剂混合、传送和温度控制技术,能够去除高度注入光刻胶。正是FSI的 ZETA喷雾处理系统独特的设计性能,使这个新工艺得以实现。湿法去除高度注入的光刻胶在浸泡或单晶圆清洗平台上仅仅取得有限的成功。

 “我们的ViPR技术扩展了我们在灰化后清洗领域的能力,并扩大了我们服务的光刻胶去除市场。”FSI董事会主席兼首席执行官 Don Mitchell说,“我们和一些关键客户联合开发了这项技术,并且很高兴能为IC制造商提供通过减少材料损失和表面损坏、缩短加工周期和降低成本而增强其竞争优势的工艺方案。首批带ViPR技术的ZETA G3系统在3月已经发货,将进行工艺优化、整合和认证。”

ZETA G3平台建立在上一代的ZETA系统能力之上, 提供了IC制造商更好的性能和更高的产能。ZETA G3是ViPR技术得以实现的唯一硬件平台,而且在许多应用中,它装备的加强型机器人能够增加20%的产量。ZETA G3平台专为300毫米批量喷雾前段（FEOL）和后段（BEOL）清洗工艺而设计,并经过了90nm、65nm和45nm技术节点上的验证。

ZETA系统采用了带超灵活化学试剂传送技术的离心喷雾方案,可以按照所需的成分和温度来制备直接分发在晶圆之上的化学品。ZETA系统被证实具有广泛的应用范围,包括自对准金属氧化物结构中钴和镍刻蚀、光刻胶去除和灰化后清洗、无超声微粒去除和晶圆回收。另外,为了帮助IC制造商在65nm技术节点上实现自对准氧化物结构,FSI为镍铂薄膜开发了PlatNiStrip™工艺。