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光刻胶去胶技术 |
| 发布时间:2006年7月21日 点击次数:263 |
| 来源:半导体国际 作者: |
基于本公司ZETA G3喷洒清洗设备的ViPR去胶技术使注入后的去胶工艺摆脱了以往对干法技术的依赖。此项技术移除了80%的前道干法去胶技术,降低了表面损伤、减少了材料损失以及缩短了生产周期。为保证大剂量注入后的去胶表现,ViPR去胶技术使用本公司独特的化学配方、药品输送系统和温度控制技术。此外,该技术的硬件平台ZETA G3能够用于300mm半导体前道及后道生产,设备优化了硬件表现从而提升20%的产能,并且满足90、65以及45纳米技术节点的需求。
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