据Semiconductor Reporter网站报道，市场分析机构Strategy Analytics近期预测，对于砷化镓（GaAs）体材料和外延衬底的需求在2006和2007两年内的增长率将达到30%-40%,到2008年将翻一翻。

砷化镓是手机射频前端模组目前不可缺少的材料，而对于手机出货量的估计则是2006年增长15%，在2007年底超过10亿部。新型手机对于混合多模、多基带架构的使用将带来大部分基于砷化镓工艺的HBT以及pHEMT器件的大幅增长。

因此对于衬底的需求增长从2005年到2010年将总和超过150%。市场总额达到6亿美金以上。

“我们将看到所有的工厂在未来几年内产能利用率都达到100%,而衬底材料供应商将尽可能投入最多的资金来保证材料供应，否则就会失去市场份额，”分析机构Strategy Analytics副总裁Stephen Entwistle说。

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