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GaAs衬底需求年增长30%以上 |
| 发布时间:2006年8月12日 点击次数:248 |
| 来源:SEMI 作者: |
据Semiconductor Reporter网站报道,市场分析机构Strategy Analytics近期预测,对于砷化镓（GaAs）体材料和外延衬底的需求在2006和2007两年内的增长率将达到30%-40%,到2008年将翻一翻。 砷化镓是手机射频前端模组目前不可缺少的材料,而对于手机出货量的估计则是2006年增长15%,在2007年底超过10亿部。新型手机对于混合多模、多基带架构的使用将带来大部分基于砷化镓工艺的HBT以及pHEMT器件的大幅增长。 因此对于衬底的需求增长从2005年到2010年将总和超过150%。市场总额达到6亿美金以上。 “我们将看到所有的工厂在未来几年内产能利用率都达到100%,而衬底材料供应商将尽可能投入最多的资金来保证材料供应,否则就会失去市场份额,”分析机构Strategy Analytics副总裁Stephen Entwistle说。 相关链接（英文）：http://www.semireporter.com/public/12740.cfm |
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