Intel采用45nm工艺技术制作了该行业第一块全功能SRAM芯片,目标是于2007年采用该技术在300mm晶圆上开始制造芯片。目前Intel在Arizona和Oregon有两个制造厂制造65nm芯片,今年在Ireland和Oregon将有两个以上新厂投入生产。

　　与65nm芯片相比,45nm将在晶体管密度上提高两倍,这将能减小芯片尺寸或提高晶体管数量。45nm还使晶体管开关速度提高>20%,或者使晶体管电流泄漏降低为原泄漏的1/5,这对移动装置的电池寿命有好处。

　　虽然仅透露了少量的技术细节,但是Intel宣布已制作了SRAM测试装置,并且包括了在45nm微处理器上应用的所有晶体管和互连特征。这样的测试装置用于在微处理器的产品量产之前,论证技术性能、良率和可靠性。Intel高级研究员 Mark Bohr对该重大进展进行了简短报道,介绍了Intel在测试装置SRAM芯片之后的一年半后制作的典型逻辑芯片,这将是2007年中期的产品。

　　每一个153Mb SRAM芯片包含十亿以上的晶体管,是采用MMX技术的Intel奔腾处理器上晶体管数量的200倍,该处理器是约10年前采用Intel的0.35祄处理器技术制作的。

　　新的存储单元的尺寸(0.346 Um²)几乎是65 nm单元的一半。

　　令人惊奇的是,在通常宣布重大事件的12月份国际电子器件会议（IEDM）上,Intel并没有宣布它的45nm技术的当前细节,而是在新论文中介绍了采用应变硅的65nm技术。虽然Bohr说45nm芯片需要公司“在晶体管和互连上进行创新”,但是45nm技术不会与65nm技术有根本性的差别。他说公司仍没有准备公开讨论细节,但是Bohr于Electronic News早期报道称,测试装置SRAM芯片已经被论证的事实意味着制作技术包括版图设计规则、互连材料和大多数生产设备已经或多或少被确定下来。

　　Intel称该晶体管仍是平面的,虽然继续在45nm采用应变硅技术,但是并不采用finFET或三栅结构,并在成型的关键层采用193nm干法光刻工艺。

　　位于Oregon的Intel的D1D生产线上正在研发45nm工艺,而且该公司宣布正在构建Arizona的Fab 32和以色列的Fab 28两大生产线,将采用45nm工艺制造芯片。

　　Bohr评论更高密度、更快速的芯片需求时,提到当今人们在生活中需要更多的功能性。回顾20年以前计算机能做什么并与现在计算机所能做的进行比较。现在你能在计算机上观看流畅的视频或电影,能存储数以万计的信息,能以极快的速度进行计算。计算处理技术在我们生活中越来越普遍存在。目前人们不是在他们的台面上,而是在他们的手中拥有这些能力。可携带性和低功耗也是用户非常需要的。

　　“Intel过去开发主要针对台式微处理器的工艺技术,但是这几年我们开始把硅工艺技术的市场和应用扩大到服务器产品、移动产品,现在甚至进入手持领域。大量处理器芯片将基于45nm技术,包括从小型手持装置如蜂窝电话和PDA到大型服务器计算机,以及介于它们之间的产品。”