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成膜技术

发布时间:2006年7月21日 点击次数:319
来源:半导体国际   作者:
 

  高产量的硅片背面塗布工艺是大规模成像生产的主流技术, 此技术的膜厚总体变化在±12.5 µm范围内。本工艺兼容通常应用于半导体硅片背面形成50 µm膜厚的底层填料或粘性塗布技术。整套工艺此技术可以使用不同的硅片传送方式,灵活的成像工艺以及热板回流工艺。

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