随着消费类电子产品的功能不断增加，人们对高性能放大器的要求也越来越苛刻，特别是对放大器的功耗、精确度、噪声比和高速率提出更严格的要求。为应对市场需求，美国国家半导体（NS）公司成功开发出采用全新 VIP50 工艺技术的6款运算放大器，这些运算放大器无论在准确度、功耗及电压噪音方面都有大幅改善。
　　据NS介绍，VIP50 工艺采用公司全新的绝缘硅 (SOI) BiCMOS 工艺技术，其优点是可以利用可微调而高度准确的薄膜电阻改善生产状况，这是专为开发先进模拟运算放大器及比较器的工艺技术。其优点还表现在可以确保放大器芯片能在 0.9V ~12V 之间的供电电压范围内操作，而高精度放大器常用的 +5V/-5V 标准直流电分裂式供电电压以及普通锂电池及镍镉电池的供电都在这个供电电压范围之内。

　　相比于传统的双极或 CMOS 工艺技术，VIP50 技术的晶体管都装设于绝缘硅 (SOI) 圆片之上，然后以沟道互相隔离。这种隔离设计可将寄生电容减至最少，以及大幅提高放大器的带宽/功率比。这种先进的隔离工艺还有另一优点，那就是即使信号电压高于供电干线电压，芯片内的晶体管仍可调节有关的信号。此外，由于绝缘硅技术可以防止漏电情况出现，因此即使在工厂及汽车等极高温度的环境之下操作，也不会对放大器的性能产生任何不良的影响。
　　由于加设了高速垂直 NPN 及 PNP 晶体管，因此 VIP50 工艺技术的双极及 CMOS 模拟专用晶体管可以减少噪音，为调节高精度模拟信号提供一个理想的低噪音环境，而且还可减低功耗。由于 BiCMOS 工艺添加了垂直 PNP 晶体管，因此放大器可以加设高度平衡的输出级，以便进一步提高放大器的带宽/功率比。
　　另外，VIP50 双极晶体管可与最低门长度为 0.5mm的“模拟级”MOS 晶体管一起搭配使用，因此不但可以发挥最佳的匹配准确度，还有助减少中低频噪音。对于 MOS 晶体管是信号路径重要组成部分的系统来说，上述的两个特色便显得非常重要。添加了 MOS 模块之后，工程师也可将更大量的混合信号技术及数字技术集成一起。
　　VIP50 工艺还采用高度稳定的低温度系数薄膜电阻，而且电阻匹配准确度高于市场上许多高精度双组装电阻。若采用以 VIP50 工艺技术制造的产品设计电路，便可充分利用圆片层或微调 (trim) 功能进一步提高其性能。
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