据国际电子商情网站报道,Nanosys公司宣称,与英特尔扩展了存储器合作关系,而且美光科技也加入了合作。

Nanosys曾于2004年曾宣布与英特尔合作研究化学和生物敏感的半导体材料,应用于纳米级结构,包括纳米线、纳米棒、纳米四足管和纳米点阵等,以评估研制存储器器件的潜力。

如今Nanosys宣布针对诸如消费电子、便携式储存和个人通信等领域高密度NAND闪存商机,开发出专有的纳米结构。该公司拥有超过450项专利和在纳米技术领域的专利应用,没有披露其纳米结构的本质,但透露美光科技将加入合作。英特尔和美光已经成立了一家合资企业IM Flash Technologies Inc.,为双方制造NAND闪存。Nanosys声称,其纳米技术推动的存储技术兼容当前的制造工艺和设备,但实现了更高的储存密度和单位低成本,并改进了可靠性。

Nanosys首席执行官Calvin Chow表示：“英特尔和美光将合力协助,加快Nanosys纳米结构应用到非易失性存储器件领域的开发和集成。”