Applied Centura^(R) AdvantEdge^(TM) Etch系统为65纳米及以下导体刻蚀赋予了众多的功能。延用优越的DPS^(R) II技术，AdvantEdge在硅刻蚀上的应用针对临界尺寸和均匀度的控制提供了当今最广泛的参量调节控制。可调节的等离子体密度分布和多方位气体分布以及独特的动态硅片温度梯度控制对于存储器应用和先进逻辑门、浅槽隔离及电容器刻蚀极限临界尺寸控制都是最理想的。 而整合于系统之上的Axiom^(TM)腔体为批量生产控制中所必须的刻蚀后清洗前的精确测量稳固了刻蚀副产品。可选附加光学检测装置、高温阴极装置和工艺状态监控更加使其如虎添翼。另外，AdvantEdge在铝、钨、氮化钛硬膜开通、引线衬垫和非易失性存储器上的应用为更好的铝选择性配置了精专的腔体设计。全新的整合于系统之上的Axiom^(TM)剥离及钝化腔体更是提供了无以匹敌的剥离速率及侧墙耐腐蚀能力。

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