据Reed Semiconductor网站报道，日本科学家Hiroyuki Ito和Yasuhiko Matsunaga研发出新一代离子注入方法，主要用于绝缘硅（SoI）制造过程以及离子注入系统。
 
美国专利局声称，此项新离子注入方法的发明可以在SOI制造过程及离子注入过程中，通过提高电子束电流来增加注入量，尤其是应用在小质量或低能量离子注入情况下。

此项专利的注册号为U.S. Patent No. 7,064,049 on June 20。应用材料公司已经签下了此新专利。

相关链接（英文）：http://www.reed-electronics.com/semiconductor/articleXml/LN399474448.html