据EE Times网站报道，University College London(UCL)科研人员近期成功研制了通过紫外线生长氧化硅的技术。该项目组负责人表示，此项技术将会对半导体制程工艺发展产生冲击。

UCL电子工程系通过紫外受激准分子谱灯，在硅表面生长氧化层。工艺中采用的UV谱灯发出波长为126nm的荧光，谱灯中充满氩气。

此项技术可以降低原来高温生长氧化硅工艺的能耗，同时为新材料的研发提供了独特的工具和机会。

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http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=190100164