国际半导体技术蓝图（ITRS）的新修订本与2003年的版本相比，对新型研究器件（ERD）的章节进行了大量的修改和补充。

　　2003年版本中重要的非传统CMOS部分已移到PIDS（工艺集成、器件和结构）和FEP（前道工艺）章节中，增加了一个全新的新型研究材料（ERM）部分。许多新型研究器件将需要特性显著改进或者具有新特性的材料。为了满足这种需要，新型材料研究小组已经明确了这些新器件制作和工作所需要的关键材料特性以及可能的材料解决方案。许多这些新材料的制作可能需要新的化学药品、合成技术以及表征和改进它们性能的度量方法。新增的新型材料研究部分提供了进行这些研究的综合的全新的方法所需的需求和机遇。

　　同时，还增加了讨论用于纳米信息处理的分类学和提出一套新的基础指导原理的新章节。该分类学章节着重于一般信息处理层的组织。指导原理将提出对许多新的和完全不同的方法的基本要求的观点，该方法以超过最终得到的等比CMOS的倍数进行信息处理。而且，已经完成新的关键性分析，随着新型研究存储器和逻辑技术的成熟，对其进行潜在性能进行了评价。

　　也是在2005年，看到两种新型存储器技术（纳米浮栅存储器和工程隧穿势垒存储器）提供了比类似商业可用存储器技术更吸引人的性能优势。相反地，相对CMOS提供显著性能优势的新型研究逻辑技术领域需要继续发现研究以确定有前途的新方法。这种观点可能的例外是一维结构，例如应用于类FET结构的纳米线和纳米管。下表列出了在新型技术领域面临的近期和远期的严峻挑战。