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台湾eMemory公司开发150nm高电压制程工艺

发布时间:2006年9月1日 点击次数:341
来源:SEMI   作者:
 

据EE Times网站报道,台湾IP供应商eMemory Technology Inc.近期宣布,将向150nm高电压制程工艺扩展其可编程Neobit技术。

公司着眼于高速增长的市场,例如LCD驱动IC,逻辑IC和功率控制IC等,其IP可以实现电路修整和性能调谐。

Neobit技术据有可擦编程只读存储器的特性,用于存储程序数据代码,它采用简单的逻辑基础制程工艺,可以很容易的在代工厂实现生产。除了开发150nm工艺技术之外,Neobit已经实现了600、500、350、250、220和180nm的高电压制程。

相关链接(英文):
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=191000190


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