美光科技公司与英特尔公司近日宣布试制成功了业内首个基于行业领先的50nm制程技术的 NAND 闪存。样品通过 IM 闪存技术公司（IM Flash Technologies）制造,该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4Gb设备,计划 2007 年开始大规模生产多种容量密度的50nm产品。

英特尔公司与美光科技公司将通过向50nm制程技术转移来满足对更高密度 NAND 闪存日益增长的需求,该产品可广泛用于计算和消费电子应用,如数字音乐播放器、移动存储及手持通信设备等。据行业调研预测,2006 年 NAND 细分市场估计在130亿至160亿美元,2010年可增长到大约250亿至300亿美元。

美光科技公司负责存储器业务的副总裁 Brian Shirley 表示,“美光科技公司于 2004 年涉足NAND业务,当时采用的是 90nm制程技术。在短短几年中,通过与英特尔公司的合作,我们现在随时准备推出基于尖端制程技术的领先产品。美光科技公司将继续致力于NAND业务,迅速向50nm制程技术过渡,不断开发更先进的工艺节点,从而推出更高密度的产品。”

英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理 Brian Harrison 说,“我们从开展 NAND 闪存业务起就一直保持着迅猛的发展势头。今年第一季度我们开始向客户发运产品,并且我们注意到在多种闪存密度上都有着很高的需求。通过与美光科技公司合作,我们随时准备向50nm制程技术及今后更先进的制程技术过渡。”