Infineon公司推出新型100V MOSFET器件OptiMOS 2系列,和标准技术的解决方案相比,它能降低开关电源(SMPS)的组件数30%,降低成本多达20%.OptiMOS? 2系列在标准封装时的导通电阻低至4.4毫欧姆,导通电阻和栅极电荷的乘积(优值)低到410 mΩnC(毫欧姆纳库仑),支持开关速率高达250kHz及以上频率.

OptiMOS 2 100V MOSFET系列在AC/DC和DC/DC电源转换中有最佳效率,用在计算机系统,通信系统和网络系统.无与伦比的导通电阻和优值还使新的100V MOSFET非常适合其它的开关电容的应用,包括D类放大器,马达控制和不间断电源(UPS).

在DC/DC转换器的应用,低导通电阻降低了重负载的损耗.在轻负载,非常低的FOMg (栅极电荷优值或导通电阻乘栅极电荷)和FOMgd (栅-漏电荷优值或导通电阻乘栅漏极间电荷)降低了DC/绝缘DC/DC砖型转换器的初级边开关的损耗,以得到高的效率. FOMgd 比FOMg更适合用来计算开关损耗.而OptiMOS 2 100V MOSFET具有这两种优值.用同样的组件数量和可比封装,满负载的损耗可降低多达20%,在重负载时还能保持优异的效率.此外,对于同样的效率,能降低组件数量多达20%,提供最佳的性价比折衷.

在AC/DC转换器应用,低导通电阻和栅极电荷以及高动态开通免疫性,保证了同步整流级的业界一流的低损耗和安全工作.和标准技术相比, OptiMOS 2 100V MOSFET允许在AC/DC开关电源的次级同步整流级间断组件数多达30%.此外,低热系数即使在AC/DC SMPS中通常存在的升温状态下还保证了低导通损耗.

OptiMOS 2 100V系列还具有MOSFET技术中理论极限值的雪崩指针,MOSFET实际上是动态开通免疫性的.这两种特性保证了目标应用中的稳定性,可靠性和最大限度性能.

现在可提供TO-252(D -Pak),T)-262(I2-Pak)和TO-222封装的OptiMOS 2 100V器件样品,其导通电阻从5.4mΩ 到80mΩ.其它封装如D2-Pak, I-Pak和Super SO8的器件将在将在2006年年内提供.

10K量时的单价, 4.4mΩ TO-220 (IPP04CN10N)器件的单价低于$2.40,高速D-Pak封装(IPD64CN10N)的单价为$0.40.