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三星70纳米工艺1Gb OneNAND闪存投入量产

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    4月5日消息 三星电子有限公司日前宣布,它已开始采用70纳米制造工艺批量生产1Gb OneNAND闪存芯片,目标对准手机之外更广阔的应用领域。

    据福布斯网站报道,三星指出,70纳米制造工艺较当前业界采用的90纳米制造工艺生产效率提高了70%。

    三星说,采用70纳米技术的OneNAND整合了NOR闪存启动和速据读取速度快的优势与NAND闪存的数字存储容量大和数据写入速度快的优势。

    目前三星已在数码相机、机顶盒及数字电视等产品上成功使用了该产品。

    面对手机之外的新市场及现有移动市场上的新应用,三星预计OneNAND芯片2008年销售收入将达到10亿美元,2010年将超过15亿美元。

来源:赛迪网   作者:  2006/4/5 0:00:00
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