产品说明：

手机专用的NOR闪存子系统在一个封装内整合了新开发的256Mb和512Mb单片NOR闪存芯片以及伪静态随机存取存储器（PSRAM）或小功率同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。新的NOR闪存子系统专门为3G手机应用设计，采用先进的90nm工艺开发制造，代码执行速度更快，价格更加低廉。

新的闪存子系统采用多片封装（MCP）技术，有以下几种芯片组合。

512Mb闪存 + 64Mb PSRAM (型号：M36P0R9060);
512Mb闪存+ 128Mb PSRAM (型号：M36P0R9070);
512Mb闪存 + 128Mb LPSDRAM (型号：M39P0R9070)。

ST新的NOR闪存将存储性能提升到了一个新的水平，读取速率高达133MHz，是市场现有产品的两倍。此外，其编程速率高达0.5Mb/s，比现有NOR闪存解决方案提高2倍。

新的闪存产品不仅采用90nm光刻技术，还运用了经过验证的先进存储技术，例如，多电平单元(MLC)闪存和多区块体系结构，这些特性都是针对3G多媒体手机的高容量、小尺寸、低功耗和高灵活性等特点专门设计开发的。