产品型号  XP FPGA

　　       参选产品简介: LatticeXP 器件是由节省成本的低介电系数（low-k）、130纳米CMOS闪存处理工艺 实现的，采用了镀铜法。该工艺由富士通有限公司和莱迪思半导体公司共同研发。晶片在富士通公司最先进的晶片制造厂生产。LatticeXP器件支持1.2、1.8、2.5和3.3伏的供电电压。LatticeXP器件采用ispXP技术，该技术将SRAM和非易失的闪存结合起来，使FPGA同时具备了非易失性和无限可重构性。

基于SRAM的存储单元控制器件逻辑的操作，这些单元在上电后1毫秒内由芯片上的闪存载入，提供瞬时上电的性能，或通过用户命令引导。器件也可以经由一个微处理器接口配置，即sysCONFIG™ 接口或JTAG接口。与传统的基于SRAM的FPGA不同，LatticeXP器件不需要外接引导存储器，所以能提供单芯片的解决方案，从而减少了电路板面积，并简化了系统制造过程。由于没有外接的引导器件，启动时无需外部编程信号流（bit-stream），而窥探外部编程信号流正是SRAM FPGA的主要安全隐患。LatticeXP还禁止从器件的SRAM和闪存部分回读编程信号流，进一步提高了器件的安全性。

        经过优化的LatticeXP器件结构ü 以易于综合的工业标准四输入查找表（LUT）逻辑块为基础结构。* 只有25%的逻辑块包含分布式内存，这一优化既满足了大多数用户对少量分布式内存的需求，又降低了成本。 * 由于器件拥有sysCLOCKTM 锁相环（PLL）和内嵌模块RAM（EBR），用户可将这些功能集成在FPGA中，无需采用离散元器件，进一步降低了成本。* 先进的sysI/OTM 缓冲器支持LVCMOS、LVDS、LVTTL、PCI以及SSTL和HSTL等标准，便于轻松高效地连接业界最流行的总线标准。

        LatticeXP器件中有专门用来简化DDR存储器接口的电路，为这类FPGA提供高性能、一体化、信号完整性和易于设计的特性。