英特尔和美光投资50亿美元共建NAND闪存制造合资企业

       2005年11月22日,通过与美光科技公司联盟共同投资50亿美元巨资兴建一家新的合资制造公司,英特尔突然高调进入火爆的NAND闪存市场。

       英特尔公司进入这一市场的时机再好不过了,因为市场对NAND闪存的需求呈现爆炸式的增长。研究公司iSuppli预计,2005年到2009年,全球NAND闪存市场的收入将翻一番以上,从106亿美元猛增至260亿美元。而同期NOR闪存市场增长平稳,从66亿美元增至85亿美元。

       1988年,英特尔公司发明NOR闪存,一年后,东芝公司发明NAND闪存。NOR闪存的可靠性高于NAND闪存,但是成本较后者高30%到40%。

       随着移动设备容量越来越大以及闪存和硬盘的融合,NAND闪存的发展动力相当强大。事实上,据iSuppli 统计,2005年第3季度存储业巨头三星公司以14.9亿美元的NAND闪存销售额傲视群雄。三星公司在NAND市场的占有率达到50.4%,公开宣称“闪存热潮”已经来临并将于2006年推出超大容量的32Gb NAND存储卡。2005年11月,三星公司表示其OneNAND闪存的单月生产量达到300万个,较四个月前大幅增长86%。

       英特尔和美光的合资公司被命名为IM Flash Technologies,该公司生产的NAND闪存将由英特尔和美光分别打上各自的标签独立进行销售。两家公司都投入26亿美元用于合资,其中美光占有51%的多数股权。

       英特尔首席技术官Ed Dollar说：“我们拥有将产品快速推向市场的能力。”他承诺,打有英特尔标志的NAND闪存2006年早期就可以付运。英特尔曾经考虑和其它NAND厂商合作,不过最终选择了美光。快速和稳定的NAND产品供货能力在其中起到了重要的作用。

       不过,英特尔完全可以更早一些进入NAND市场。

      Dollar说：“这取决于不同的立场。3到5年前进入这一市场是否会更好一些呢？或许。不过我们认为现在进入非常合适。”

       美光已经连续5个季度付运NAND闪存,并声称这一业务在2005年9月1日截止的财年中,第四财季比第三财季增长了5倍。不过,NAND和CMOS图像传感器的收入仅占其第四财季12.6亿美元总收入的15%。

       美光首席技术官Mark Durcan说：“与英特尔合资是美光发展历史的里程碑之一。它使我们可以比完全依靠自身更加快速地大幅提高制造能力。”他认为超越三星并非绝无可能。“虽然不可能在一夜之间超越三星,但是我们的目标绝不仅仅是第二名。”

       iSuppli闪存分析师Mark DeVoss根本不相信其它公司可以超越三星,但是他认为美光有可能超越其它竞争对手。“美光转入英特尔阵营,而英特尔又是营销高手。从长远看,我相信英特尔/美光合作可以超越海力士和东芝。”