 |
 |
 导航:老古开发网首页→文章索引→文章分类→新闻热点→[NEC试制GaN半导体功率晶体管]
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
NEC试制GaN半导体功率晶体管 |
| 发布时间:2002年12月25日 点击次数:14 |
| 来源:中电网 作者: |
这种晶体管采用了GaN和AlGaN的异质结（Hetero Junction）,以及使用电子束曝光法制成的长度0.25μm的微细栅电极。功率增益截止频率达120GHz、单位栅极宽度的漏极电流密度约达1A。 |
|
|
|
 欢迎进入老古论坛进行讨论
[新闻热点] 相关文章:  铜峰电子多功能电容器膜生产线简介:
铜峰电子多功能电容器膜生产线技术改造项目于近日一次性试投料成功。该项目将对公司今后的发展将产生怎样影响?铜峰电子董事长陈学斌表示，项目主导产品主要为了满足我国大幅度增长的电力电容器产业对聚丙烯粗化膜的需求，以及小型化、超小型化电子器件发展对超薄型聚丙烯膜的迫切要求，市场前景可观。 据介绍，多功能电容器膜生产线技术改造项目主导产品之一超薄型聚丙烯薄膜是生产微小型电容器的关键材料。随着我国电子工业迅速发展，电子整机产品也将日趋小型化、微型化,对电容器的要求也更加趋向小型化和微型化，对超薄型聚丙烯薄膜的要求也将越来越高,需求量越来越大。超薄型聚丙烯薄膜,国内目前厂家尚无批量生产，厚度低于4μm...... NeoMagic低功率高效能应用处理器
ADI公司低成本集成数据转换器
Ericsson新款紧凑结构EDFA
Motorola HC08 Q系列8位微控制器
P4工控主板新品
DDR内存走低 硬盘价格意欲反弹
Flextronics成为ARM新授权伙伴
PMC推出1GHz MIPS单核处理器
TI600MHz可编程数字媒体处理器 |
|
|
|
下一个:
上一个: