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ST推出大电流功率场效应MOS晶体管 实现最低导通电阻 |
| 发布时间:2006年2月27日 点击次数:315 |
| 来源:EDN电子设计技术 作者: |
意法半导体日前针对汽车市场推出一个新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用ST最新优化的 STripFET™ 专利技术,实现了最低的导通电阻。 新产品 STD95N04 是一个40V的标准电平的DPAK产品,最大导通电阻RDS(on)6.5毫欧。
这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS（防抱死制动系统）设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比,新产品在价格和导通电阻性能上极具竞争力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内,能够满足标准阈压的驱动要求。
STD95N04符合汽车电工理事会（AEC）组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ,100%通过雪崩测试。
ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础,导通电阻和功耗比上一代技术更低,占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术,以满足DPAK (30V, 逻辑电平, 典型导通电阻在4.5V时等于4.5毫欧 ) 和 D2PAK (40V,标准电平, 典型导通电阻在10V时等于2.0毫欧) 的需求。
采用DPAK和TO-220封装的STD95N04现已投入量产。 订购10,000件,单价0.38美元。 |
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