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Zetex满足前置偏压需求的高压MOSFET

发布时间:2006年2月25日 点击次数:392
来源:EDN电子设计技术   作者:
 

  Zetex近日推出一款可满足前置偏压电源电路需求的新型高压MOSFET器件。

  ZXMN0545G4是一款450V增强型N沟道器件,可用于简单的线性稳压器,在启动阶段位为脉宽调制(PWM)集成电路提供所需电压,然后在转换器完全启动后关闭。与其他依赖电阻器的解决方案相比,这种基于MOSFET的解决方案有助于提升系统效率和缩短启动时间。

  Zetex亚洲副总裁林博文先生指出,新型MOSFET采用独特的四引脚SOT223封装,能发挥最大的抗高压漏电性能。该器件采用崭新的导线框架设计,只需从两个常用的漏极引脚位置中切断其中一个,便可以大大扩展引脚间距,有助于设计人员满足UL及CE漏电距离规范。

  这款晶体管的导通电阻非常低,最大只有150 Ω,还可以支持高达140 mA的连续漏极电流和600mA的脉冲电流,具备了高效的功率处理能力。此外,该器件的切换速度非常高,启动及上升时间设定为7 ns。


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