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继英特尔后，常州纳科再获SST资本与技术支持 |
| 发布时间:2005年2月11日 点击次数:201 |
| 来源:嵌入式 作者: |
根据协议规定,纳科微电子公司将获得SST的0.25微米超快闪(SuperFlash)技术授权,从而为纳科微电子开发可编程逻辑和嵌入式闪存产品的代工客户提供SST高性能的闪存技术。此外,纳科微电子公司的工厂(位于中国常州国家高新技术产业开发区)将作为SST的代工厂,生产基于SST超快闪技术的0.25微米工艺产品。 SST强调,这一合作关系的达成显著增强了SST降低生产成本的能力,进而使该公司得以延续其在低密度闪存市场的统治地位。 SST总裁兼首席执行官叶炳辉表示：“我们与上海的宏力半导体(Grace Semiconductor)、华虹NEC公司(Hua Hong NEC)和台积电(TSMC)达成了代工和技术授权合作关系,而常州正与上海共同崛起为中国微电子领域的重要中心。中国各地的无晶圆半导体供应商和系统设计商均对我们的超快闪技术表现出浓厚的兴趣,这次我们与纳科微电子公司的新合作关系将有助于拓宽我们的嵌入式闪存技术的可用性,并满足日益上涨的需求。” 作为协议的一部分,SST已通过旗下子公司SST International购得组建于开曼群岛(Cayman Islands) 的纳科微电子Series B优先股。预计Series B股的收益和新一轮Series C股的融资将被用来在中国江苏省常州市建造新工厂。 2004年6月,英特尔宣布和纳科微电子就制造技术与设备的转让签署了一项协议。据信,这是英特尔第一次与中国厂商签署这样的协议。 英特尔将向纳科微电子提供0.35和0.25微米制造工艺的使用许可。英特尔还将帮助培训纳科微电子公司的员工,以及向该公司销售足够的200毫米晶圆设备,使其每月能够生产15,000片晶圆。英特尔的发言人表示,纳科微电子公司“目前”不会为其生产晶圆。 纳科微电子公司是中国的一家初创晶圆代工厂商。该公司项目第一期投资4亿美元,预期在2006年一季度正式投产。主要产品为0.35μm、0.25μm、0.18μm的CMOS和FLASH集成电路。一期月产能达到8英寸晶圆片15,000片至20,000片。第二期投资3亿美元,月产能扩大至30,000片至40,000片。部分产能将生产附加值较高的可编程逻辑电路(PLD)及嵌入式现场可编程门阵列电路(eFPGA)。
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