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海力士最迟在2006年4月启用无锡半导体厂 |
| 发布时间:2005年12月10日 点击次数:417 |
| 来源:E代电子 作者: |
海力士（HYnix）与意法半导体（STMicroelectronics）合资兴建的江苏无锡半导体厂,将在明年4月着手量产。 韩国业界相关人员的近日指出,据传海力士最快将在明年第一季底,最迟将在明年第二季初启用无锡厂。无锡厂将以生产DRAM为主,NAND型闪存则将视市场需求弹性生产。 无锡厂区达16万平方米,海力士计划投入2兆韩元以上兴建一座八吋晶圆厂与一座12吋晶圆厂。明年4月将启用的为8吋晶圆厂,将采用90纳米制程月产4万片（以八吋为基准）DRAM。 |
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