英特尔公司日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片,并初步披露45纳米工艺细节。表示与65纳米工艺相比,最新的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍,达到10亿个,开关速度提高了20%,而功耗却降低三成。

　　据称,英特尔的45纳米工艺被命名为P1266,集成了铜互连(copper interconnects)、低K介电系数、应变硅(strained silicon)和技术特性。该公司计划采用193纳米“干式(dry)”光刻扫描器——而非沉浸式(immersion)工具,来制造45纳米器件,这也超出了此前一些分析人士进行的预料。

　　英特尔工程师Mark Bohr称,这些晶体管只有45纳米见方,比红血球还要小1,000倍左右。“采用45纳米生产工艺后,我们可以在单位面积上放置两倍数量的晶体管,并降低能耗。毫无疑问,这项技术将大幅度提升未来产品和平台的性能。”

　　英特尔还表示采用45纳米工艺,已制造出153Mbit SRAM原型。该原型器件包含几个元件,其中包括SRAM阵列、PROM阵列、锁相环(PLL)、I/O、寄存器和分立测试结构。英特尔此项声明显示其45纳米工艺已经上路,预计将于2007年下半年实现量产。