老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引索引第1601页文章分类存储器第5页→[iPod改变了NAND闪存市场格局]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

第25883篇:iPod改变了NAND闪存市场格局

发布时间:2006年1月27日 点击次数:764
来源:中国电子报 莫大康   作者:
 

       11月21日,一条爆炸性的新闻吸引了人们的眼球:半导体巨头英特尔和美光(Micron)决定用52亿美元在美国合资兴建一个65nm及45nm的NAND闪存芯片工厂,取名为"IMFlash"。该工厂计划在2006年投产。而导致这个合作的源动力来自苹果(Apple)公司MP3对NAND闪存的大量需求。

       一个普通的MP3产品,居然被美国苹果公司在三年内“炒上了天”, 为此,苹果公司的股价也由2004年11月的30.78美元,上升到如今的67.11美元。大家惊呼iPod(MP3产品)的神奇力量。苹果公司一直以来以独树一帜为荣耀,它的Mac电脑就与众不同。今天的iPod

       更是达到了登峰造极的地步,占领了美国MP3市场的60%以上。

       目前,苹果公司采用大容量的NAND闪存(2Gb及4Gb)来替代以前MP3中使用的微硬盘存储器(HDD)。众所周知,微硬盘体积大,功耗高,但价格较便宜;而闪存容量不易做大,高容量产品成本又高。但苹果公司已与三星联手,推出了采用2Gb及4Gb NAND闪存的MP3产品———iPodnano,该产品价格与采用微硬盘的MP3不相上下,而其外观设计更漂亮,让年轻一族因拥有它而感到自豪。

       iPodnano的旋风拉动着全球闪存业的市场需求。据报道,苹果已包下三星2005年下半年NAND闪存产能的40%。另外,苹果也分别与全球前五大NAND闪存供应商英特尔、三星、东芝、海力士及美光签下了直至2010年的长期供货合同。其中,苹果分别与IMFlash(英特尔与美光合资厂)、三星以及海力士签订了5亿美元、5亿美元及2.5亿美元的合同,以保证其所需NAND闪存的货源。 据报道,2005年NAND闪存市场已达102亿美元。美国半导体工业协会(SIA)预测,2006年NAND闪存市场将达到210亿美元,而到2009年NAND闪存将达到350亿美元。

       由于NAND闪存的突显,导致许多DRAM厂家纷纷将产能转向NAND。而iSuppli估计,苹果公司在2006年能消耗全球闪存的25%,也就是说,苹果公司的iPod将左右四分之一的NAND闪存市场。

       在NAND闪存市场上,三星的策略向来是以降价来刺激买家,再利

       用缩小线宽以及采用大尺寸硅片投产,进一步提升经济效益,并逼退对手。

       现在,三星为了掌控苹果公司这一“大鳄”的订单,不惜压低自己的利润空间,一口许诺能以与微硬盘相抗衡的价格为苹果提供高容量NAND闪存产品。

       就目前的现实情况而言,苹果也只能与三星联手合作,才能拿到NAND闪存货源,因为三星目前能采用70nm技术做出4Gb NAND闪存。

       依照三星引以为豪的存储器每年倍增定律预计(三星致力于每年推动存储器容量加倍增长),到2007年和2008年左右,三星计划将主流NAND闪存的容量提升到16Gb~32Gb。预计2008年,32Gb的NAND闪存的价格可压到200美元以下。

       与三星相比,新建的IMFlash能成功吗?业内人士分析,它至少面临如下的难点: 首先,IMFlash量产的时间并不占优,它需要一年之后才能有产品。尽管英特尔和美光在NAND存储器业都有相当的经验,但要合作建立一个工厂也不是那么简单的,而对手三星公司又那么强大,因此,争取时间很关键。

       其次,双方在价格上的竞争也非常激烈。据有关人士预测,到IMFlash量产的时候,三星已经处于8Mb到16Gb的时代,它至少采用的是65nm甚至45nm生产工艺。此时,双方生产的成品率及产品的性价比是竞争的关键。

       第三,双方在技术上的竞赛,即增加存储器的容量也会愈演愈烈。目前,IMFlash和三星的技术各有特色。三星有堆垒封装技术,即在同一封装内增加存储器的容量,而英特尔有MLC技术,可以将其存储器的密度提高。

       第四,微硬盘也在进步,这点对于整个NAND闪存市场的成败十分关键。如果到IMFlash量产的时候,NAND闪存技术在性价比方面还能超过微硬盘,那或许还好,但目前市场上已经出现了与NAND闪存同样尺寸规格的微硬盘,这给NAND敲响了警钟。

       总之,三星作为NAND闪存大厂,再加上其在未来几年中高达330亿美元的庞大投资计划,IMFlash要想超过它是非常不容易的。但今天英特尔与美光合作建厂,虽不能从根本上动摇三星在NAND存储器业中老大的地位,但这也着实让三星吃了一惊。


欢迎进入老古论坛进行讨论
[存储器] 相关文章:
日立携手瑞萨开发MOS相位转换存储器单元 1.5V电压条件下可编程
简介:
日立与瑞萨发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在下一代微控制器中为诸如信息设备、家用电器,以及车载设备和控制系......

集模拟外设、Flash存储和FPGA架构于一体的单片可编程系统芯片
Infineon 512Mb图像DRAM 支持时钟频率高达800MHz
边界扫描SRAM簇板级互连测试研究
Super Flash型存储器SST39SF020的特性及应用
 
下一个:[新闻热点]夏普加大对LCD领域投资
简介:
液晶显示器虽然很薄,但夏普(Sharp)对显示器技术的投资却非常的丰硕。该公司1月11日称,在下一个财政年公司将投资近24亿美元(合2,750亿元日元)以保持其在LCD TV市场上的至高位置。 夏普称其中17亿美元都将投放到其今年三月份将开始的核心业务—— LCD业务,这就像是高空跳水,把握好时间很关键。最近来自iSuppli的分析报告称,2005年LCD TV销售量超过......

上一个:[DSP数字信号处理]XILINX收购ACCELCHIP 目标20亿美元高性能DSP市场

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:否 执行时间:125毫秒