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第25340篇:Varian与Nissin解决专利官司 |
| 发布时间:2006年9月7日 点击次数:416 |
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据Semiconductor Reporter网站消息,Varian半导体日前与日本Nissin离子设备公司日前宣布已解决了他们两年悬而未决的专利官司。 Varian半导体公司两年前状告Nissin,称其中等束流离子注入机侵犯其专利权。该诉讼日前在美国德州西部法院审理。 但是双方的公告中并未公布太多关于审理结果的细节,也未透露Nissin赔偿的具体金额。 相关链接（英文）： |
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[新闻热点] 相关文章:  Varian推出掩模式离子注入系统降低制造成本简介: 据Semiconductor Reporter网站报道，Varian半导体设备公司日前宣布其开发出一种方法，可以将硅片的部分面积保护起来，以实现在同一硅片上的不同注入剂量。这种方法据称可以大量降低研发成本。 采用上述方法，不同注入剂量可以在同一硅片上实现并测试，而不需要为每种剂量都采用不同的硅片来做试验。 半导体届开发下一代器件的研发成本过高成为越来越需要慎重对待的问题。离子注入技术占研发成本的份额不容忽视。此次推出的VIISta vMask系统使客户可以在同一硅片上实现不同剂量的...... Varian推出新一代大电流离子注入设备VIISta HCP诺发(Novellus)预期本季度订单量增长14%-20%Unaxis公司股东年会同意公司更名为Oerlikon诺发翻新业务又出新举措 |
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