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韩国Dongbu完成新型130nm CMOS图像传感器研发 |
| 发布时间:2006年9月5日 点击次数:323 |
| 来源:SEMI 作者: |
据EE Times网站报道,韩国Dongbu Electronics近期表示,公司已经完成了一款基于Electronics & Telecom Co. Ltd. 130nm的先进CMOS图像传感器(CIS)的制程研发,并预期在第四季度开始采用新的制程技术进行CMOS图像传感芯片的量产。 采用新制程工艺制造的CIS器件将具有1.3M像素和1.5V的驱动电压,Dongbu表示,采用130nm工艺将有利于CIS器件增强分辨率、灰度级和相对照度。 我们意识到CIS器件早期巨大的潜在市场,而且提升CIS性能的技术鲜有研发,Dongbu战略事务研发部门执行副总裁Jae Song表示,自从四年前CIS研发组成立,我们已经获得了20项CIS专利,并使CIS成为我们的特长产品。 相关链接（英文）： |
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