据EE Times网站报道，韩国Dongbu Electronics近期表示，公司已经完成了一款基于Electronics & Telecom Co. Ltd. 130nm的先进CMOS图像传感器(CIS)的制程研发，并预期在第四季度开始采用新的制程技术进行CMOS图像传感芯片的量产。

采用新制程工艺制造的CIS器件将具有1.3M像素和1.5V的驱动电压，Dongbu表示，采用130nm工艺将有利于CIS器件增强分辨率、灰度级和相对照度。

我们意识到CIS器件早期巨大的潜在市场，而且提升CIS性能的技术鲜有研发，Dongbu战略事务研发部门执行副总裁Jae Song表示，自从四年前CIS研发组成立，我们已经获得了20项CIS专利，并使CIS成为我们的特长产品。

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http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=192501893