据DigiTimes网站报道,力晶经过一段时间努力,将如期在2006年第四季将旗下自有品牌NAND闪存商品端上台面。市场人士认为,这对于力晶来说,无论是在营收及获利上均有相当程度加分效果,且预期在第四季NAND闪存价格有可能进一步调涨。

2006年上半年结束前,力晶不负众望正式与日本瑞萨(Renesas)签署了4Gb AG-AND型闪存产销合作协议,也因此力晶成为台系首家正式切入NAND闪存主流规格生产、销售的厂商。当初力晶便已对外表示,将于第三季起正式投入,预期第四季便可进入出货阶段。为了因应新增代工合约,力晶当时也开始加速12M厂产能扩产计划,由原本预期年底月产能1.5万片增加至2万片。

力晶在此时适时推出NAND闪存产品,对于力晶第四季营收及获利均有正面加分效果,原因在于第四季起几家国际NAND闪存大厂现有产能几乎一半以上均已外包予消费性电子大厂。如此一来,便无多余产能供给到现货市场,届时将会再像目前DRAM市场一样,所有现货市场均由力晶一手掌握。