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英飞凌工厂决定暂不启用45nm工艺制成

发布时间:2006年9月5日 点击次数:290
来源:SEMI   作者:
 

据半导体设备及材料网网站报道,英飞凌近期表示,虽然参与了45nm节点的技术开发,但该公司不准备在自己的工厂中采用这项工艺。相反,英飞凌将只设计45nm器件,而在其它地方进行生产。根据该公司董事会成员Hermann Eul的说法,至少目前该公司有上述考虑。

特许半导体、IBM、英飞凌和三星组成的技术联盟日前宣布推出基于其45nm工艺技术的第一款功能芯片,英飞凌亦是其中的合作方之一。英飞凌为该款45nm芯片贡献了标准单元和I/O电路。

Hermann Eul说:“根据未来的市场发展情况,英飞凌将在稍晚的时候决定自己的工厂策略。”目前该公司把部分生产业务外包给了特许半导体(Chartered Semiconductor)。

“我们现在有了首款45nm芯片,”Hermann Eul在介绍英飞凌的路线图时表示,“第一款65nm产品预计将在2006年底左右准备上市销售,我们预期将在2009年初推出45nm产品。”Hermann Eul表示,英飞凌计划首先在移动应用中采用45nm技术。然而,该公司的主流存储业务目前随着Qimonda的独立而分解了出去,英飞凌不再参与其中。而这项英飞凌与特许、IBM以及三星合力开发的45nm技术特别用于逻辑应用当中。


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