|
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
传英飞凌要退出内存市场 中芯国际可能接手 |
| 发布时间:2005年10月31日 点击次数:450 |
| 来源:赛迪网 作者: |
传言称,英飞凌受到了来自西门子公司的压力。西门子公司在数年前就将其半导体部门剥离组建了IFX,它在IFX中持有大量股份。 据称,英飞凌公司已经在与台湾Nanya和中芯国际进行接触。有消息灵通人士称,英飞凌公司将于11月17日召开特别董事会,讨论可能的对其内存业务的收购要约。 但迄今为止,这一切还只是传言,而且可能是没有任何根据的传言。 |
|
|
|
|
[存储器] 相关文章: Spansion展示基于90nm的单芯片1Gb GL NOR闪存简介:
Spansion LLC展示了基于90nm MirrorBit™技术的单芯片1Gb GL NOR闪存,并验证了1Gb ORNAND™闪存的工作芯片。Spansion在其位于得克萨斯州奥斯汀的旗舰制造基地Fab 25所生产的Spansion™ 90nm MirrorBit技术的产品,为引人关注的高容量闪存开发计划奠定了基础。该项计划旨在开发多款满足无线和嵌入式应用,将所需容量、性能、可靠性和成本结构集于一身的闪存产品。  ...... 杰尔推出存储芯片支持垂直记录 容量提升三倍
LogicDevices推出具备优越寻址功能的帧缓冲器
哪种接口更具魅力?
Spansion推出有助缩小无线设备体积的层叠封装解决方案
ST128兆位NAND闪存芯片转向90纳米制造技术
意法新的SPI串行闪存兼容PC BIOS代码存储芯片组系列
IDT携手英特尔实现先进内存缓冲装置互通
APLUS将为UMC提供1.8V的EEPROM解决方案
英飞凌推进DDR2 FB-DIMM部署 推出DDR2全缓冲内存模块样品 |
|
|
|