据Reed-Electronics网站报道，Freescale Semiconductor近期发布了一种基于应力SOI(strained silicon-on-insulator)衬底材料的45nm-CMOS工艺技术。

本项技术已于本周举行的2006超导规模集成电路讨论会上进行了展示，SSOI材料是通过复合应力技术得到的。根据Freescale的结果，晶体管性能提高了30%，功耗降低了40%。

通过Freescale公司的与CMOS技术兼容的混合应力SOI技术，可以实现nFET单轴向应变的衬底放大，且pFET的性能相比于普通非应变硅也有所提高。

相关链接（英文）：
http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6343013?spacedesc=news