罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨液，专门设计用来帮助用户处理90nm 和 65nm技术节点下低介电质(Low K)整合方案中的化学机械平坦化问题。新型LK393c4铜阻挡层化学机械研磨液是在晶圆制造厂商的密切配合下开发而成的，与现有的其它化学机械研磨液配方相比，其选择比和研磨速率可帮助用户把芯片产量提升同时降低拥有成本25%到30%。
　　LK393c4阻挡层化学机械研磨液是去年CMP技术事业部推出的LK系列阻挡层化学机械研磨液的最新产品。凭借1比1的铜/低介电质选择比以及较高的TEOS（四乙烷氧硅化物）率，这种非选择性的碱性研磨液适用于先进的低介电质整合方案。LK393c4阻挡层研磨使用户能够在其铜阻挡层处理中维持铜研磨后所得之平坦化结果。
　　LK393c4化学机械研磨液适用与专为铜阻挡层应用而设计的软性研磨垫和新一代研磨垫平台，可在低压下提供下一代铜阻挡层工艺CMP所需要的高研磨效率

。这种化学机械研磨液目前正在进行90nm低介电质晶圆的量产测试，并且在多家客户的工厂中进行65nm工艺的鉴定，其中包括逻辑器件制造厂商的工厂。
　　“我们设计了LK393c4 阻挡层化学机械研磨液来支持90nm 和65nm两种整合方案，使用户能够更容易地 在多种技术节点上扩展整合知识和应用。”罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部的化学机械研磨液技术副总裁Rich Baker 说到：“根据用户的技术要求以及个别工艺的要求，我们创造了最新的化学机械研磨 液 为用户提供清洁或者维护TEOS 覆盖层的灵活性”。
　　随着LK393c4添加到LK系列中来，CMP技术公司可为晶圆制造厂商提供全套的碱性阻挡层化学机械研磨液选择，用于130 nm至65nm技术节点中半导体晶圆的化学机械平坦化。LK系列还包括非选择性的LK301 阻挡层化学机械研磨液和选择性较强的 LK309 阻挡层化学机械研磨液。 总之，LK系列帮助用户解决各种 各样的低介电质/铜整合计划，同时保证较高的芯片产量和最高的性能。内部测试和最终用户的反馈都证实，LK系列化学机械研磨液的性能稳定，可重复，动态使用时效长达14天。
　　目前，CMP技术事业部可以提供LK393c4的样品并希望该产品在2005年第3季度投放市场。这种化学机械研磨液经过该公司世界一流的应用实验室的测试，该实验室可满足用户特殊的工艺要求。
　　LK393c4阻挡层化学机械研磨液以及整个LK系列都在位于特拉华州纽沃克的罗门哈斯电子材料化学机械研磨液制造厂生产。当前，这一采用最新工艺的制造厂每年能够供应3百万加仑的化学机械研磨液。