2。何谓耦合？？在很多地方出现过。。是否是指产生互连的方式？

                                                 3。GaAs（砷化镓）是由周期表中第三主族和第五主族的元素形成的单晶化合物，其性质和四主族硅类似。但是电子迁移速率比硅快5-10倍，制造有源器件时，比Si有更快的转换速度（在饱和，截止和放大区的转换间）在微波电路，高频放大，高速数字逻辑等中广泛应用。在书上提出一个问题：GaAs（砷化镓）的P沟道MESFET几乎不用，原因是什么？刚开始时我考虑是因为空穴迁移速率未必快，但反过来想，电子迁移速率快的话，那么空穴的迁移速率必然会快啊，因为电子和空穴是成对产生的啊。。。那么原因是什么？