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模拟电子技术系列（2） |
| 发布时间:2006年7月18日 点击次数:1048 |
| 来源: 作者: |
2。何谓耦合？？在很多地方出现过。。是否是指产生互连的方式？ 3。GaAs（砷化镓）是由周期表中第三主族和第五主族的元素形成的单晶化合物,其性质和四主族硅类似。但是电子迁移速率比硅快5-10倍,制造有源器件时,比Si有更快的转换速度（在饱和,截止和放大区的转换间）在微波电路,高频放大,高速数字逻辑等中广泛应用。在书上提出一个问题：GaAs（砷化镓）的P沟道MESFET几乎不用,原因是什么？刚开始时我考虑是因为空穴迁移速率未必快,但反过来想,电子迁移速率快的话,那么空穴的迁移速率必然会快啊,因为电子和空穴是成对产生的啊。。。那么原因是什么？ |
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