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新的IC制造工艺提高了无线电用IC的集成度

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 芯片制造公司Intersil(位于加州的Irvine)针对无线通信用高集成度芯片的需要,成功地开发了一种芯片制造工艺。该公司打算利用此种工艺,生产日益增长的无线网络市场需求的某些IC,例如公司的Prism WLAN和CommLink等无线系列产品所需要的IC品种。

---- 由于无线电子产品越来越强烈地要求缩小体积,减轻重量,降低成本,因此迫切要求将RF线路和其它某些无源元件集成到芯片中去。移动式电池供电的,膝上电脑,PDA,以及其它电子产品不久就会需要显示无线连接的特长,因此缩小芯片个数和尺寸特别重要。

---- 此项新工艺,命名为UHF-2,是一种RF BiCMOS工艺技术。 它将制造25GHz fT, 40GHz fMAX npn晶体管的工艺,以及制造高质量无源元件的工艺技术和0.6(m CMOS工艺技术结合起来。它采用深槽隔离技术,与其它隔离技术例如p-n结隔离相比,集成度较高。

---- UHF-2包括制造一系列高质量无源元件的工艺技术,例如,螺旋式电感,金属-氧化物-金属电容,和低温度系数RF电阻等。它可以将这些元件集成到CMOS芯片中去,无须使用单独购买的分离元件。这样可以降低整个系统,以及外购件的成本。

---- UHF-2工艺现在已经经过全面的鉴定,并且投入生产。如愿了解更多的情况,请和Intersil公司联系。公司的网址为:http://www.intersil.com

----Christina Nickolas/王正华译
来源:今日电子   作者:Christina Nickolas/王正华   2006/9/25 21:05:00
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