据电子资讯时报网站报道，日厂富士通(Fujitsu)关于45nm以下工艺技术的开发，已经改变以往独立开发的立场，将敞开大门寻求业界合作伙伴。

富士通目前在日本三重县的Fab1厂，以90nm工艺技术产能达到每月1.5万片12寸晶圆，而Fab 2厂则以65nm工艺为主，产能满载可达每月2.5万片12寸晶圆。富士通同时也宣布，已经有10家客户采用该公司的65nm工艺产品CS200、CS200A，为未来持续发展更先进的工艺技术，富士通期望寻求合作伙伴。

近几年富士通在研发先进工艺上投入了数10亿美元，不过都是自行研发。2005年6月，富士通发表45nm工艺规划，称为NCS(nano-clustering silica)技术，属于旋涂式(spin-on)技术，并有自行开发的半导体材质。富士通同时也正运用碳纳米管技术来取代部份的铜工艺导线，不过为了成本考量，富士通不排除与其它业者合作的可能。

市调机构Gartner副总裁兼主分析师Bryan Lewis认为，富士通应该会在32nm工艺寻求合作伙伴，该公司的挑战在于未来必须寻找足够大的生产制造伙伴共同进行开发，且最好是尚未与其它半导体业者进行深度联盟的厂商，如此才能整合共享两家公司的研发人员，并创造最大价值。