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奇梦达与南亚科技75纳米DRAM工艺获认证

发布时间:2006年8月31日 点击次数:572
来源:SEMI   作者:
 

据EE Times网站报道,奇梦达(Qimonda)与南亚科技(Nanya Technology Corp.)两公司于本周一宣布已经获得75nm工艺DRAM沟槽技术验证,目前已经在奇梦达的德累斯顿300mm晶圆厂生产线开始这项新一代DRAM技术的试产。。

第一个75纳米工艺产品将会是512Mb DDR2内存芯片,而下一代最小工艺尺寸将会是70nm。

这项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿和慕尼黑的奇梦达开发中心所开发的。

奇梦达表示,在取得75纳米 DRAM 沟槽式技术认证并推出第一个相关产品后,在技术布局上,奇梦达已达到一个重要的里程碑。此项75纳米技术平台能够满足即将出现的各种高速接口所需的性能需求。

南亚科技表示,新产品所采用的技术已达到目前最先进水平,将可获得更高的性能和容量,例如1Gb2Gb DRAM,成本更具有竞争力。
 
相关链接(英文):http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=193002099


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