
图:图中所示为Microsemi公司的适用于表面安装的Powermite系列
封装中的一种。为应用于便携式和无线电产品中的MOSFET器件作封装。
----该封装占用的线路板面积只有5.3×4.8mm,仅仅是同类封装所占用面积的三分之一。它可耗散2.5 W的功率,是SOT-23封装的三倍。除了体积小以外,此封装的结构也比通常的半导体封装更为坚固。
----例如,它的金属引线锁紧设计可以将金属连接线牢固地固定在塑料底座上,加强了机械耐力。易焊接的金属层扩展到封装的各边,可以使焊接材料在回熔时形成焊接层,有利于提高散热性能。此封装在设计上还完全摈弃了磁性材料,也不采用引线键合工艺,因而和一般的采用引线键合工艺的SMT封装相比,显著地降低了高频损耗,提高了承受电流峰值的能力。
----此封装将首先封装该公司生产的UPF1N100,n-型沟道1000V 的MOSFET。以后将用来封装应用于照相机闪光灯和电动机控制器的500V MOSFET,以及其它电压为30V和50V,应用于音频放大和驱动的MOSFET。
----如欲了解更多情况请与Cliff Silver先生联系。电话号码为;001-714-979-8220,网址为:http://www.microsemi.com。
