EDA供应商Simucad Design Automation日前宣布，提供LDMOS和HV MOS紧凑Spice模型，面向其SmartSpice模拟仿真器和SmartSpiceRF谐波仿真器。

LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)基于飞利浦的LDMOS的简洁模型，这是针对高电压和RF应用的专用模型，由飞利浦研究实验室开发。HV MOS简洁模型基于流行的加州大学的BSIM3。该公司CEO Ivan Pesic表示：“对于LDMOS和高压MOS晶体管没有必要使用繁琐的宏模型。这些紧凑的模型和我们单一供应商的电路仿真环境在电源、功率管理和板驱动电路设计上提供了较高的精确度、伸缩性、融合性和性能。”

Simucad表示，LDMOS和HV MOS模型精确，采用单个模型卡即可游刃于宽范围的特征尺寸、偏置和温度下。它们还提供精确的对称和不对称、与偏置相关的寄生效应建模。LDMOS高压紧凑模型包含门下面沟道区和漂移区的物理效应，适合仿真LDMOS、VDMOS和EDMOS。该模型能指出沟道区和漂移区，并计算晶体管内部出现的电压。

HV MOS高压紧凑模型的核心参数集基于BSIM3v3的最终版本，确保了漏极电流等式良好的连续性和稳定的收敛。

Simucad增加了一些额外参数，说明不对称源漏极寄生偏置影响、由漏极电压影响的迁移率减小、门和漏极电压影响的速率饱和和自我加热等。永久授权用户或一定期限许可用户可免费从该公司网站下载。