SiRes系列硅振荡器包括SiT1xxx固定频率及SiT8002可编程频率的硅振荡器,采用MEMS First及EpiSeal CMOS兼容工艺生产,体积比石英振荡器的体积小1000倍,每年的老化程度为±2×10-6。
MEMS共振器用0.18μm的工艺加工,蚀刻在硅晶圆上。离子蚀刻技术能产生极为细小且坚固低机械结构,在电子信号的引导下能自由振动。此后,硅机械振荡器被封装在细小且超洁净低真空管内,真空管由EpiSeal COMS兼容工艺制造低晶圆上成形。首个产品使用改良的QFN封装,内部由一个CMOS驱动IC和MEMS共振器组成一个完整的振荡器,封装尺寸为2.0mm×2.5mm×0.85mm。硅振荡器省去了石英振荡器应用中的2个装载电容和1个分流电阻,所需的印制板面积也减小了30%。
SiT1xxx系列振荡器提供超过173个频率以供选择,SiT8002可编程频率的硅振荡器看用于原型制作、自订频率及少量生产,其功能与形式与SG-8002兼容。两个系列的振荡器均提供1~125MHz的频率以供选择,不同频率的容限为±50~±100×10-6,周期之间的抖动为±150ps。工业用型号的工作温度为-40~85℃,商用型号的工作温度为0~70℃,具有5.0mm×7.0mm×0.85mm至2.0mm×2.5mm×0.85mm的4种尺寸。
振荡器具有片上的温度补偿模块,在-40~85℃温度范围内,频率变化只有±0.4×10-6,迟滞为±0.2×10-6。在-50~80℃的循环测量表明,振荡器的输出频率可以稳定在1×10-6测量精度内。
