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低VCE(sat)双极结晶体管

发布时间:2005年11月2日 点击次数:611
来源:   作者:
 
 生产商:安森美半导体 ON SEMICONDUCTOR

 产品说明:

高性能VCE(sat)双极结晶体管(BJT)具有超低饱和电压和高电流增益,专为低成本高性能的低压高速开关应用而设计,可为每件产品节约0.1美元的成本。
新型VCE(sat) BJT的抗静电放电(ESD)能力很强,有助防止敏感元件受到损坏,具有双向阻塞能力,从而省掉了阻塞二极管,提供SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6和ChipFET等封装。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率,并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量,这些新型晶体管可进一步缩减材料单(BOM)。如在提供低于1.0V的低导通电压后,就无需典型的电荷泵。


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