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环境气压对离子注入杂质颗粒水平的影响 |
| 发布时间:2005年5月30日 点击次数:273 |
| 来源:半导体国际 作者:Timothy E. Beatty, Phillip Flatch III , Ramon S. Santiesteban, Agere Systems |
摘要
边缘图形失效
尽管可以进行多次局部测试,但由于这种特殊的图形标记无法被重复,因此对于异常处理来说很有挑战性。另外,虽然这种图形在无离子束注入时也能观察到,但是这种图形与传输系统的接触点看起来也没有多大的关联。另一种方法是使用白乙烯基卷带拓印出挡片实验片边缘图形的形状。通常对晶圆进行手动送样加载,在晶圆进入注入机过程中,在每个转移位置采集数字图像。最直观的图像见图2,从图中可以看到晶圆从微环境转移到真空进片室后,在专门的晶圆架上的放置位置。由于晶圆的正反两面都插入这种专门的晶圆架,会在晶圆上产生一个阴影区,对应在杂质颗粒计数晶圆上就形成了条带图形,如同污染源置于晶圆架侧面的情况。对这个阴影区域的解释可以分为两种情况,或者是在无尘微环境中放置的等待时间内空降的杂质颗粒沉积,或者是真空进片室的真空泵回复循环过程中漂浮分子杂质颗粒的沉积。
用去离子水雾做的后续的测试显示了从洁净室进入到微环境中由于空气流动引起的问题。在无尘微环境和洁净室环境之间的气压呈负微分分布使得空气反向流过晶圆架的载入口,如图3中飘起无尘布所示的情况。由于测试晶圆不允许在无尘微环境中放置两小时以上,所以不能像在长时间、低能量、高掺杂注入之后加载的标准杂质颗粒测试晶圆那样,使用上文提到的局部测试复制边缘图形。 一种改进方案
为了控制杂质颗粒的流动,需要在不同区域间存在一定的气压差来减少洁净室内杂质颗粒的交叉污染。对于微电子晶圆厂来说,最洁净的区域是操作工区,这里进行的进片加载/卸载过程由于需要往复出入无尘微环境,因此晶圆可能污染。对于大部分维护良好的洁净室来说,这两部分的气压差通常维持在1.25到5Pa范围内。
由于原先的设计未曾预料,已经安装好的注入机都没有为上文提到的空气压力微分优化装置留有额外的空间。如图4所示,五部单独的空气循环装置(RAH)通过操作区、设备底座和#1注入机外围的主走廊来提供所需的气流。图中没有显示每个RAH的返回管道,但他们都固定在底座上。另外,墙上的返回通气孔将底座和主走廊分离。尽管这只是一个非标准的示意图,但注入机杂质颗粒水平在很长一段时间内处于控制范围之内,边缘图形的标记效应在机器运转了两年之后才会出现。 一旦找到杂质颗粒问题的主要原因,可以测量相对空气压力(见表)。同第一次的观察结果相吻合,与操作区相比,无尘微环境处于负压状态。当然还有一些疑问,比如事实上操作区与经常有人员走动的主走道相比处于负压状态。因此,污染物可以轻易地从走廊通过载入口的底部转移到操作区中,并且在污染晶圆之前进入无尘微环境。通过移出用来维护的物件(桌子、工具架、部件等)来完成对操作区与走廊之间气压微分的矫正。这些物件可能部分堵塞返回气孔并导致分配到走廊RAH装置的功率降低。改变无尘微环境到操作区那部分气压微分需要进行多次校正。在无尘微环境中四个换气扇中的三个是有缺陷的,并且需要更换。另外,为了保持连接到操作区的系统高压,要将通过ULPA过滤器的空气面速率维持在75fpm,这就需要提高RAH#64单元的功率,那么分配到RAH#63单元的功率会降低。表中所列的“后”气压需要气压的后调整。更重要的是,调整之后边缘图形的情况再也没有出现过,这种注入机的杂质颗粒基准的趋势往下走,在将近三个月之后,如图5所示,最终降低到了可接受的程度。失效率降低了20%。 结论 |
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