据外电报道,英特尔闪存部门战略策划经理Greg Komoto日前表示,到2010年,当前的闪存技术将逐渐被相变存储OUM所取代。

　　据英国媒体报道,Komoto日前表示,英特尔始终认为,与MRAM和FeRAM技术相比,Ovonic统一存储（OUM）,即相变存储,是闪存的最佳替代品。

　　最初,OUM由英特尔和Ovonyx联合开发。2000年,英特尔入股Ovonyx。此后,Ovonyx先后向意法半导体、日本的Elpida,以及三星授权OUM存储技术,作为闪存的潜在替代品。

　　2002年,英特尔与Azalea Microelectronics合作,基于0.18微米工艺开发出了OUM芯片原型。此后,英特尔便独自尝试0.13微米工艺。英特尔开发OUM存储最早要追溯于1970年9月,当时由英特尔联合创始人戈登-摩尔提出。