|
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
国半推出信号抖动少、静电释放保护能力高的LVDS缓冲器 |
| 发布时间:2006年4月1日 点击次数:511 |
| 来源:电子工程世界 作者: |
美国国家半导体公司宣布推出一款封装小巧、可减少信号抖动的缓冲器,为该公司的一系列先进的低电压差分信号传输(LVDS)产品添加更多选择。 美国国家半导体的DS90LV804是一款4通道的LVDS缓冲器,可在0至800Mbps之间的速率传输数据。由于传输速度范围广阔,因此适用于主流的多插卡设计或其他多机箱的设计。这款缓冲器芯片可提供高达15kV的静电释放保护,让FPGA、特殊应用集成电路(ASIC)及电路板上的其他元件获得最可靠的绝缘保护,因此只要采用这款缓冲器驱动LVDS信号,便可确保经由电缆及底板传送的信号完整无缺。这款芯片的应用范围非常广泛,最适用于如电信系统、数据通信系统、工业器材、医疗设备、汽车电子系统及办公室影印设备等电子产品。 DS90LV804缓冲器的特色及技术规格 DS90LV804缓冲器可以通过普通的底板或配置简单的电缆驱动多达4条LVDS时钟及/或数据通道。这款芯片的差分输入范围较为广阔,与LVDS、LVPECL或电流模式逻辑(CML)的输入电平完全吻合。此外,输出电平也全面符合LVDS的技术要求。 DS90LV804缓冲器的特点是可以确保信号完整,因此是驱动时钟及数据信号的理想驱动器。这款缓冲器采用4通道的配置,确保内置的输出驱动器可以配合低至只有50psec(典型值)的通道至通道歪斜。这款芯片更为信号路径的输端(发送器)及输入端(接收器)提供终端装置,以将信号抖动降低至只有30psec(典型值)。 高速信号若经由电缆或个人电脑电路板传送,信号能否保持高度完整主要取决于数据传输率、电缆类别和长度、终端电路设计及环境噪音等不同因素。为了提高信号的完整性,美国国家半导体特别为DS90LV804缓冲器添加输入及输出或信源、终端电阻,使电路板无需另外加设这类元件,并保证数据传送时只产生最少的回送损耗。这个优点对长距离的信号驱动显得尤其重要。 DS90LV804缓冲器芯片采用小巧的32引脚LLP封装,大小只有5mm×5mm×0.80mm,因此最适用于板面空间极为有限的系统。此外,这款芯片也另有不含铅封装可供选择。 对于重视节能的系统来说,这款缓冲器芯片可以在四条通道都停止活动(例如作为冗余系统备用)时改用关机模式,以便尽量降低功耗。此外,这款芯片也设有输出允许引脚,使用户可以将LVDS输出及内部偏压发生器置于TRI-STATE低功率模式之中。 |
|
|
|
|
[存储器] 相关文章: OUM超越MRAM和FeRAM独领风骚,现有闪存技术可撑至2010年简介:
英特尔公司日前预计指出,当前的闪存技术能维持到2010年,直到2010年才将出现对“通用存储器”的要求。这是英特尔闪存组战略规划经理Greg Komoto日前在英特尔开发商论坛(IDF)上所表示的。 Komoto称,英特尔依然认为双向通用存储器(OUM),也称为相变存储器,是最有前景的非易失性存储器替代者,超越了另两类潜在替代者--磁性RAM(MRAM)或铁电RAM(FeRAM)。 Komoto表示,OUM凭借其缩放路径、成本下降和位可改变的事实显示出最具前景。 英特尔自2000年以来与合作伙伴Ovonyx公司合作致力于OUM研发。意法半导体也在一段时间内授权了Ovo...... 为嵌入式应用构建黑盒子
从新闪存技术窥视消费电子辉煌未来
牛津半导体推出USB/Firewire双SATA存储控制器
IIC:闪存 PK 硬盘,从消费电子拓展到工业应用
Spansion ORNAND 1Gb闪存亮相,下半年推出3Gb产品
为DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片
单片机总线接口芯片及其ISA模式应用
DSP片外高速海量SDRAM存储系统设计
FAT16文件系统格式说明 |
|
|
|