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松下开发出低功耗CMOS晶体管 |
| 发布时间:2002年6月22日 点击次数:9 |
| 来源:中电网 作者: |
松下电子公司表示,该晶体管采用纳米技术,通过在硅半导体上图上一层薄薄的硅锗层研制而成。由于硅锗的导电性能极佳,因此该晶体管可以在0.5伏特的电压下工作,即传统晶体管工作电压的1/3。 使用该晶体管,可以使新芯片的能耗降低90％以上,从而在很大程度上降低芯片发热量,这对于开发高性能芯片是至关重要的。据公司透露,该款芯片有望在2005或2006年被用于下一代移动设备中。 |
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