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亿恒与华邦的DRAM业务合作达成最终协议 |
| 发布时间:2002年5月9日 点击次数:7 |
| 来源:中电网 作者: |
根据协议条款,华邦电子将采用0.11微米工艺为亿恒生产通用DRAM。5月份,亿恒将把自己的0.11微米工艺技术转移到华邦电子在新竹的工厂。2003年1月初将进行试产。华邦将为亿恒在其8英寸晶圆厂保留部分生产能力。华邦还将生产自有品牌的高级专用DRAM。 这是亿恒在我国台湾地区进行的第4次联合。3月,亿恒和华邦宣布将合作扩大DRAM生产能力。同时,亿恒还扩展了与茂矽（Mosel Vitelic）的合作。南亚科技（Nanya Technology）日前也宣布与亿恒合作开发下一代采用300晶圆的90纳米和70纳米DRAM工艺。两家公司还有可能成立各拥有一半股份的合资企业生产DRAM,并投建一家300毫米晶圆制造厂。此前,亿恒还与联华电子(UMC)在新加坡投建了300毫米晶圆厂——UMCi。 |
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