三星、Hynix今年DRAM产量将增加六成[新闻热点]

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三星、Hynix今年DRAM产量将增加六成

发布时间:2002年3月29日点击次数:8

来源:中电网作者:

据韩国媒体报导,基于今年DRAM需求可望增加40~45％,加上主导产品由128Mb转到256Mb。三星电子今年除计划提高256M产品的生产比重外,并计划生产11.5亿片DRAM（以128M为基准）,约较去年的7亿片增加62％;Hynix半导体今年则计划生产8.79亿片（以128M为基准）DRAM,约较去年的5.42亿片增加63％。

三星电子今年2月将256M DRAM占整体DRAM的生产比重提高到40％,首度超越占38％的128M DRAM。同时,计划在今年年底前,将256M DRAM的生产比重拉高到50％。今年计划占有全球27.38％的市场,维持领先地位。推估今年整体DRAM销售额将达42亿美元。

Hynix 今年将正式开始于生产线采用“Blue Chip”（0.15微米工艺）与“Prime Chip”（0.13微米工艺）等技术,藉此大幅提升产量。

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