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台积电采用90nm工艺制造出SRAM芯片

发布时间:2002年3月9日 点击次数:5
来源:中电网   作者:
 
台积电(TSMC)日前宣布,该公司成功地采用新一代90nm(0.09μm)工艺制造出了4Mb的SRAM芯片。

该公司比此前不久发表的国际半导体技术开发计划(ITRS)提前1年以上成功地制造出了这种芯片。

4Mb的SRAM芯片的栅极长度为64μm,6晶体管(6T)SRAM存储单元大小为1.3μm2。这个面积约为采用0.13μm技术制造的芯片的一半。该芯片采用了铜布线和低电介电介质技术。

该公司预定于同年第4季度之前开始进行试生产,量产预定采用300mm硅片。

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