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ST开发成功栅极长16nm的晶体管 |
| 发布时间:2001年12月11日 点击次数:8 |
| 来源:中电网 作者: |
这种特殊的栅极是通过采用SiGe和多晶硅的双层结构形成的。其加工过程为,首先加工80nm宽的双层结构,然后只对SiGe继续进行刻蚀加工,这样就可得到凹槽形的结构。现在,该公司已经成功地将栅极长度加工到了8nm。 虽然该公司将栅极长度减小到了16nm、并降低了寄生容量,但延迟时间却高达0.7ps,这一数值与美国AMD的0.29ps或者英特公司的0.38ps相比,还显得太大。但目前能够试制并发表栅极长度大大低于20nm的晶体管的公司也只有AMD、英特尔和意法半导体。 |
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