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SDK推出氮化钾近紫外和绿色LED芯片 |
| 发布时间:2005年12月21日 点击次数:294 |
| 来源:电子工程专辑 作者: |
基于已经商品化的GaN蓝色LED技术,SDK开发出倒装晶片结构的近紫外LED,其功率高达14W,波长约为400nm。该功率级足够用于高效率磷光材料的常规照明。 该产品还采用了紫外LED磊晶晶圆(Epitaxial Wafer)技术以提高电光转换效率。同时绿色GaNLED采用了面上(face-up)结构,其亮度远高于目前同类产品,该LED提供505nm、6.5mW (400mcd,蓝绿色)和525nm、6mW (500mcd)两种型号。 据SDK透露该公司还将制造波长555nm的纯绿色LED,上述产品已使采用新的结晶化条件、新开发的电极以及所有上述专利蓝色LED技术成为可能。
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